Güney Kore merkezli teknoloji devlerinden Samsung ve IBM kısa süre önce çip teknolojisi için yeni bir dikey transistör mimarisini duyurdular. Bu yeni çip tasarımı, önde gelen yarı iletken imalat şirketleri tarafından tercih edilen mevcut ölçeklendirilmiş kanatlı alan etkili transistörler (finFET) ile kıyaslandığı zaman performans tarafında iki kat iyileştirme sağlıyor ve enerji kullanımı yüzde 85 oranında azaltma potansiyeli sağlıyor. Bu yeni nesil çip teknolojisi sayesinde akıllı telefonlardaki pil ömrü bir haftaya da çıkıyor olacak.
Şu ana kadar transistörler bir yarı iletkenin yüzeyinde düz duracak biçimde inşa ediliyordu. Yeni Dikey Aktarım Alan Etkili Transistörler (VTFET) ile transistörler dikey veya yukarı-aşağı akım akışıyla çipin yüzeyine dik biçimde inşa ediliyor.
Boşa harcanan enerji daha fazla akım akışı sağlıyor
VTFET süreci, çip tasarımcıları sabit bir alana daha fazla transistör yerleştirmeye çalışırken Moore Yasasını genişletmek için performans ve sınırlamaların önündeki birçok engeli ele alıyor. Aynı zamanda transistörlerin temas noktalarını da etkileyerek daha az boşa harcanan enerjiyle daha fazla akım akışına izin verir.
IBM'in Hibrit Bulut ve Sistem Araştırma Sorumlu Başkan Yardımcısı Dr. Mukesh Khare konu ile ilgili şu sözleri dile getirdi:
Bugünün teknoloji duyurusu, geleneklere meydan okumak ve toplumu ilerletmeye ve yaşamı, işletmeyi iyileştiren ve çevresel etkimizi azaltan yeni yenilikler sunmaya nasıl devam edeceğimizi yeniden düşünmekle ilgilidir. Sektörün şu anda birden fazla cephede karşı karşıya olduğu kısıtlamalar göz önüne alındığı zaman IBM ve Samsung, yarı iletken tasarımında ortak inovasyona olan bağlılığımızı ve 'zor teknoloji' dediğimiz şeyin ortak arayışını gösteriyor.
Dr. Mukesh Khare
