ABD'nin Kaliforniya eyaletinde düzenlenen Future of Memory and Storage (FMS) 2026 fuarında Samsung Electronics tarafından gerçekleştirilen tanıtım etkinliğinde "Yapay Zekâ Devrimine Yön Vermek: Bellek ve Depolama Mimarisinde 3D Yenilikler" başlıklı açılış sunumu yapıldı.
Şirket, yüksek performanslı hesaplama (HPC) ve veri merkezlerinin artan taleplerine yanıt veren en son 3D RAM mimarilerini sergiledi. Tanıtımda dikkati çeken en önemli yenilikler ise, sektörde bir ilk olan zHBM ve zNAND-O konsept modelleri ile 400 katmanı aşan V10 BV-NAND mimarisi oldu.
İşlemcinin üzerine dikey istiflenen bellek (zHBM)
Yeni nesil bellek mimarisinin amiral gemisi konumundaki zHBM, geleneksel sistemlerde yapay zekâ işlemcisinin (GPU/NPU) yanına yerleştirilen HBM bellekleri doğrudan işlemcinin dikey olarak üstüne istifleyerek mimari bir devrim sunuyor.
HBM5'e kıyasla 8 kat performans artışı
Verinin kat edeceği mesafeyi en aza indiren bu dikey tasarım; HBM5 standartlarına kıyasla yaklaşık 8 kat daha fazla performans, 10 kattan fazla bellek yoğunluğu ve 3 kat daha yüksek enerji verimliliği vaat ediyor.
Ayrıca, katmanlar arası ısı direncini yarı yarıya düşüren teknoloji, müşteriye özel IP entegrasyonuna da izin vererek özelleştirilmiş yapay zekâ hızlandırıcılarının önünü açıyor.
400+ katmanlı V10 BV-NAND duyuruldu
Bunun yanı sıra dikkat çeken başka bir gelişme ise, NAND depolamada Samsung'un 2013'te başlattığı V-NAND serisinin en gelişmiş halkası olan V10 BV-NAND (Bonding V-NAND) mimarisinin ilk kez sergilenmesi oldu.
Samsung ayrıca edge AI cihazlar için düşük gecikmeli zNAND-O konseptini, bellek içinde veri işlemeye olanak tanıyan LPDDR5X-PIM mimarisini ve HBM4E/HBM5 örneklerini tanıtırken; bellek, dökümhane (foundry) ve gelişmiş paketlemeyi tek çatı altında sunan tek üretici (IDM) olarak pazardaki anahtar teslim liderliğini de pekiştirdi.